Кафедра математики
Permanent URI for this community
Browse
Browsing Кафедра математики by Author "Fasolyak, Anton V."
Now showing 1 - 3 of 3
Results Per Page
Sort Options
Item Динаміка пружного напівсередовища з циліндричною порожниною, яка підкріплена тонкою оболонкою, при вісесиметричних навантаженнях, що розширюються(Сумський державний університет, 2023) Фасоляк, Антон Володимирович; Fasolyak, Anton V.; Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.UK: У роботі розглянуто однорідне пружне напівсередовище, яке обмежено площиною, вздовж якої розташована пружна плита. Середовище містить циліндричну порожнину, яка підкріплена тонкою пружною оболонкою. Для розв’язку використано метод скінчених елементів. EN: The paper considers a homogeneous elastic semi-medium, which is limited by the plane along which the elastic plate is located. The medium contains a cylindrical cavity supported by a thin elastic shell. The finite element method was used for the solution.Item Ефект вкорочення довжини фрактального каналу польового транзистора(Кременчук: ПП Щербатих О.В., 2021) Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.; Онуфрієнко, Володимир Михайлович; Onufrienko, Volodymyr M.; Фасоляк, Антон Володимирович; Fasolyak, Anton V.UK: Розглядається ефект скорочення у провідній фрактально конфігурованій напівпровідниковий канал і можливість контролю струму в пристроях радіоелектроніки працюючи на основі зміни провідності каналу між джерелом і стоком. Теоретичні результати дослідження запропоновані для впровадження до розглянутої транзисторної структури с конфігурацією фрактального каналу у складі напівпровідникових інтегрованих мікро- та наносхем пристроїв дробового інтегродиференціювання в адаптивних системах, програмованих аналогах інтегральних схем, фільтрах, розв'язувачах диференціальних порядків. EN: The paper considers the shortening effect in the conductive fractally configured semiconductor channel and the possibility of current control in radio electronics devices operating on the changing basis channel conductivity between source and drain. Theoretical results of the research are offered for introduction of the considered transistor structure with fractal channel configuration as a part of semiconductor integrated micro- and nanoschemes of devices of fractional integrodifferentiation in adaptive systems, programmable analog integrated circuits, filters, differential orders solvers.Item Умови електричного пробою фрактального каналу польового нанотранзистора(Кременчук: ПП Щербатих О.В, 2022) Фасоляк, Антон Володимирович; Fasolyak, Anton V.; Слюсарова, Тетяна Іванівна; Slyusarova, Tetiana I.; Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.; Килимник, Ірина Михайлівна; Kylymnyk, Iryna M.; Онуфрієнко, Володимир Михайлович; Onufrienko, Vologymyr M.UK: Робота теоретично підтверджує сильний вплив фрактального масштабування каналу на хід стокових характеристик нанотранзистора. Це пояснюється фрактальністю каналу і механізмами, що викликають швидке зростання струму при високих напругах між стоком і витоком, лавиноподібним розмноженням носіїв в каналі за рахунок ударної іонізації і пробою стік-підкладки. Спостерігався значний вплив на зсув порогових значень напруги пробою в умовах «м’якого» та «різкого» пробою, що мотивується фрактальною конфігурацією переходів стік-підкладка. EN: The work theoretically confirms the strong channel fractal scaling influence on the drain characteristics course of nanotransistor. This is explained by the fractality of the channel and the mechanisms that cause the rapid increase of the current at high voltages between the drain and the source, by the avalanche multiplication of carriers in the channel due to shock ionization, and the breakdown of the drain-substrate. A significant effect on the shift of the breakdown voltage threshold values in the conditions of "soft" and "sharp" breakdown was observed, which is motivated by the fractal configuration of the drain-substrate transitions.