Міщенко, Марина ВолодимирівнаМищенко, Марина ВладимировнаMishchenko, Maryna V.Фарафонов, Олексій ЮрійовичФарафонов, Алексей ЮрьевичFarafonov, Olexy Y.Романенко, Сергій МиколайовичРоманенко, Сергей НиколаевичФурманова, Наталія ІванівнаФурманова, Наталия ИвановнаFurmanova, Nataliya I.Romanenko, Sergiy M.2015-03-192015-03-192013http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/96Міщенко, М. В. Исследование влияния отверстия в экранирующем слое на значение емкостей неоднородностей топологии в устройствах на связанных микрополосковых линиях / Мищенко М. В., Фарафонов А. Ю., Романенко С. Н., Фурманова Н. И. // Радиотехника - 2013. - Вып.173 - С. 53-56.UK: Викладено метод визначення ємностей неоднорідностей пристроїв на мікросмужкових лініях передач з отворами в екрануючому шарі. Виявлена недоцільність використання існуючих аналітичних формул розрахунку ємностей неоднорідностей для таких структур. Проведено порівняння значень ємностей неоднорідностей мікросмужкового спрямованого відгалужувача з та без отвору в екрануючому шарі. Представлені результати квазістатичного розрахунку. Достовірність розрахунків підтверджена результатами електромагнітного аналізу структури, що досліджується в HFSS. EN: The method for determining the discontinuity capacitance of devices realized on microstrip transmission lines with defected ground plane is presented. An undesirability to use the available analytical formulas for the discontinuity capacitance calculation of such structures was revealed. The comparison of the discontinuity capacitance values of the microstrip directional coupler with and without a hole in the ground plane was shown. The results of the quasi-static calculation of coupling factor were analyzed taking into account the features of the device topology. Reliability of calculations was confirmed by electromagnetic analysis of this structure in HFSS. RU: Изложен метод определения емкостей неоднородностей устройств на микрополосковых линиях передач с отверстиями в экранирующем слое. Выявлена нецелесообразность использования существующих аналитических формул расчета емкости неоднородности для таких структур. Приведено сравнение значений емкостей неоднородностей микрополоскового направленного ответвителя с и без отверстия в экранирующем слое. Представлены результаты квазистатического расчета переходного ослабления, анализируемого устройства с учетом особенностей топологии. Достоверность результатов подтверждена результатами электромагнитного анализа исследуемой структуры в HFSS.ruмікросмужкова лініяємність неоднорідностіотвірекрануючий шарmicrostrip linediscontinuity capacitanceslotground planeмикрополосковая линияемкость неоднородностиотверстиеэкранирующий слойArticle