Кривоус, Андрій СергійовичKryvous, Andrii SergiiovychСніжной, Геннадій ВалентиновичSnizhnoi, Gennadii ValentinovychСолодовник, Анатолій ІвановичSolodovnyk, Anatolii Ivanovych2025-11-072025-11-072024https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/24201Кривоус А. С. Вплив параметрів травлення пластин кремнія n-типу на глибину дифузії алюмінію та бору / А. С. Кривоус, Г. В. Сніжной , А. І. Солодовник // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекоммунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей ХІІ Міжнародної науково-практичної конференції (10-12 грудня 2024 р., м. Запоріжжя). – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2024. – С. 188-190.ukтравлення пластинглибина дифузіїсилова електронікаetching parametersdepth of diffusionpower electronicsВплив параметрів травлення пластин кремнія n-типу на глибину дифузії алюмінію та бору.The effect of etching parameters of n-type silicon wafers on the depth of diffusion of aluminum and boron.Thesis