Онуфрієнко, Володимир МихайловичOnufrienko, VolodymyrОнуфрієнко, Леонід МихайловичOnufrienko, Leonid2025-05-222025-05-222019https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/21457Онуфрієнко В. М. Моделювання провідності напівпровідникового каналу з фрактально конфігурованими межами / В. М. Онуфрієнко, Л. М. Онуфрієнко // Тиждень науки-2019. Машинобудівний факультет. Тези доповідей науково-практичної конференції, Запоріжжя, 15-19 квітня 2019 р. / Редкол. : В. В. Наумик (відпов. ред.) Електрон. дані. – Запоріжжя : НУ «Запорізька політехніка», 2019. – С. 129-131.ukматематична модельатомний шар транзисторанульова напругаmathematical modelatomic layer of a transistorzero voltageThesis