Онуфрієнко, Володимир МихайловичOnufrienko, Volodymyr M.Засовенко, Андрій ВолодимировичZasovenko, Andriy V.Слюсарова, Тетяна ІванівнаSlyusarova, Tetiana I.Онуфрієнко, Леонід МихайловичOnufrienko, Leonid M.2023-06-022023-06-022021http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/9925Диферінтегральна модель дрейфу носіїв зарядів у полі фрактального метаматеріального середовища [Текст] / В.М. Онуфрієнко, А.В. Засовенко, Т.І. Слюсарова, Л.М. Онуфрієнко // Інноваційні процеси в науці та освіті : матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції (30 листопада 2021 року) : збірник тез // За заг. ред. доц. С.В. Онищенка ; Берд. держ. пед. ун-т, каф. проф. освіти, труд. навч. та технологій. – Бердянськ : "DEL a.s.", 2021. — С. 42-44.UK: Для виявлення ефектів просторового перебігу, що можуть виникати у приладах з від‘ємними ємностями та індуктивностями, розвиваємо далі фрактальну модель дрейфу заряджених частинок у фрактально конфігурованому шарі. Такий фізико-математичний підхід надає нам можливість змоделювати фрактальний рух носіїв заряду, спрямований в одному напрямку (фрактальний дрейф), що накладається на ізотропний хаотичний тепловий рух, внаслідок чого виникає неізотропність руху заряду (струму). EN: In order to identify the spatial flow effects that can occur in devices with negative capacitances and inductances, we further develop a fractal model of the drift of charged particles in a fractally configured layer. Such a physical-mathematical approach gives us the opportunity to model the fractal movement of charge carriers directed in one direction (fractal drift), which is superimposed on isotropic chaotic thermal movement, as a result of which non-isotropy of charge (current) movement occurs.ukArticle