Соломенко, Анастасія ГеннадіївнаSolomenko, Anastasiia G.Сагалянов, Ігор ЮрійовичSahalianov, Ihor Yu.Радченко, Тарас МихайловичRadchenko, Taras M.Татаренко, Валентин АндрійовичTatarenko, Valentyn A.2025-11-072025-11-072024https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/24208Соломенко А. Г. Strain-caused band gap modulation in phosphorene as a promising 2d material for nanoelectronics / А. Г. Соломенко, І. Ю. Сагалянов, Т. М. Радченко, В. А. Татаренко // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекоммунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей ХІІ Міжнародної науково-практичної конференції (10-12 грудня 2024 р., м. Запоріжжя). – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2024. – С. 206-213.ukфосфорендеформаціязаборонена зонагустина станівнаноелектронікаphosphorenestrainband gapdensity of statesnanoelectronicsОбумовлене деформацією регулювання забороненої зони фосфорену як перспективного 2d-матеріалу для наноелектронікиStrain-caused band gap modulation in phosphorene as a promising 2d material for nanoelectronicsThesis