Никонов, А. Ю.Небеснюк, О. Ю.Шмалий, С. Л.Никонова, З. А.Ніконов, А. Ю.Небеснюк, О. Ю.Шмалій, С. Л.Ніконова, З. А.Nikonov, A. Y.Nebesnjuk, O. J.Shmaly, S. L.Nikonova, Z. A.2026-06-052026-06-052012https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/29237Никонов А. Ю. Исследование особенностей дефектообразования в высоколегированном кремнии при облучении / А. Ю. Никонов, О. Ю. Небеснюк, С. Л. Шмалий, З. А. Никонова // Радіоелектроніка, інформатика, управління. – 2012. – № 1 (26). – C. 11-13.RU: В статье приведены результаты экспериментального исследования механизмов взаимодействия высокоэнергетического излучения с кремнием. UK: У статті наведені результати експериментального дослідження механізмів взаємодії високоенергетичного випромінювання з кремнієм. EN: In the article the results of experimental research mechanisms interaction high-energy radiation on silicon.ruизлучениелегирующие примесиконцентрациявипромінюваннялегуючі домішкиконцентраціяradiationdoping impurityconcentrationArticle