Таланін, Віталій ІгоровичТаланін, Ігор ЄвгеновичСирота, Анатолій ВасильовичTalanin Vitaliy I.Talanin, Igor E.Sirota, Anatoliy V.Таланин, Виталий ИгоревичТаланин, Игорь ЕвгеньевичСирота, Анатолий Васильевич2019-11-252019-11-252007http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4986Агрегація точкових дефектів в бездіслокаційних монокристалах кремнію / В.І. Таланін, І.Є. Таланін, А.А. Воронін, А.В. Сирота // Функціональні матеріали. - 2007. - Т. 14, № 1. - С. 48-52.UK: Розглянута кінетика процесу формування центрів зародження вторинних мікродефектів в бездіслокаційних монокристалах кремнію. Показано що процес агрегації точкових дефектів, керований їх дифузією обусловлює ростові мікродефекти. EN: This papers considers the formation kinetics for grown-in microdefects nucleation centers in dislocation free silicon monocrystals. It demonstrates that diffusion-controlled aggregation of point defects determines the process of grown-in microdefects formation. RU: Рассмотрена кинетика процесса формирования центров зарождения ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Показано, что процесс агрегации точечных дефектов, управляемый их диффузией, обусловливает образование ростовых микродефектов.engrown-in microdefectsdislocation-free silicon monocrystalssecondary grown-in microdefectsaggregationростові мікродефектибездіслокаційний монокристал кремніювторинні ростові дефектиагрегаціябездислокационный монокристалл кремниявторичные ростовые дефектыагрегаціябездислокационный монокристалл кремнияThe aggregation of point defects in dislocation-free silicon single crystalsАгрегація точкових дефектів в бездіслокаційних монокристалів кремніюАгрегация точечных дефектов в бездислокационных монокристаллах кремнияArticle