Таланін, Віталій ІгоровичТаланін, Ігор ЄвгеновичСирота, Анатолій ВасильовичTalanin, Vitaliy I.Talanin, Igor E.Sirota, Anatolij V.Таланин, Виталий ИгоревичТаланин, Игорь ЕвгеньевичСирота, Анатолий Васильович2019-11-252019-11-252008http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4984Таланин В. И., Таланин И. Е., Сирота А. В. Моделювання умов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектів / Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції «Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології» (МЕТТІТ-3), 21 травня 2008 р.UK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий.rugrowth microdefectsheterogeneous diffusion modeldislocation-free silicon single crystalscrucible zone meltingростові мікродефектигетерогенна диффузиона модельбездіслокаційні монокристали кремніюбестигельне зонне плавленняростовые микродефектыгетерогенная диффузионная модельбездислокационные монокристаллы кремниябезтигельная зонная плавкаМоделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектовModeling of growth conditions and technology for producing dislocation-free silicon single crystals without secondary rast microdefectsумов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектівArticle