Коротун, Андрій ВіталійовичСмирнова, Ніна АнатоліївнаНагорна, Ніна МиколаївнаKorotun, Andriy V.Smirnova, Nina A.Nagornaya, Nina N.Коротун, Андрей ВитальевичСмирнова, Нина АнатольевнаНагорная, Нина Николаевна2020-02-282020-02-282020http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/5649Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / уклад.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2020. – 69 с.UK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів. EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the rn junction properties. The paper presents methodological guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diode, bipolar and field transistors. RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р-n перехода. В работе представлены методические указания по выполнению лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов.ukдіодпробійбіполярний транзисторпольовий транзисторdiodebreakdownbipolar transistorfield transistorдиодпробойбиполярный транзисторполевой транзисторMethodological guidelines