Таланін, Віталій ІгоровичТаланін, Ігор ЄвгеновичВоронін, Олександр ОлександровичСирота, Анатолій ВасильовичКорягин, Сергій АндрійовичTalanin, Vitaliy I.Talanin, Igor E.Voronin, Alexander A.Sirota, Anatolij V.Koryagin, Sergey A.Таланин, Виталий ИгоревичТаланин, Игорь ЕвгеньевичВоронин, Александр АлександровичСирота, Анатолий ВасильовичКорягин, Сергей Андреевич2019-11-252019-11-252007http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4983V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota, S. A. Koryagin The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure / III Украинская научная конференция по физике полупроводников (USCPS-3) с международным участием, 17-22 июня 2007 г., Одесса, УкраинаUK: Розробка моделі дефектної структури бездислокаційних мнонокрісталлов кремнію. Моделювання процесів формування та взаємодії вирощених микродефектов, з використанням адекватної фізичної моделі. EN: Development of a model of the defective structure of dislocation-free silicon single crystals. Modeling the processes of formation and interaction of grown microdefects, using an adequate physical model. RU: Разработка модели дефектной структуры бездислокационных мнонокристаллов кремния. Моделирование процессов формирования и взаимодействия выращенных микродефектов, с использованием адекватной физической модели.engrowth microdefectsinterstitialdislocation-free silicon single crystalsvacancyростові мікродефектимежузельнийбездіслокаційні монокристали кремніювакансійнийростовые микродефектымежузельныйбездислокационные монокристаллы кремниявакансионныйArticle