Остренко, В. С.Василенко, О. В.Остренко, В. С.Василенко, О. В.Ostrenko, V. S.Vasilenko, O. V.2026-04-032026-04-032012https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/27874Остренко В. С. Определение температуры полупроводниковой структуры тиристора при циклической нагрузке / В. С. Остренко, О. В. Василенко // Електротехніка та електроенергетика. – 2012. – № 1. – С. 13-16.RU: Эта статья посвящена методике определения максимального и минимального значения температуры полупроводниковой структуры тиристоров выпрямителей, работающих в режиме циклически изменяющейся нагрузки. Это позволяет определять максимально допустимое значение тока через тиристор и определить ориентировочное значение срока работы тиристоров при циклической нагрузке. UK: Ця стаття присвячена методиці визначення максимального і мінімального значення температури напівпровідникової структури тиристорів випрямлячів, що працюють в режимі циклічно змінного навантаження. Це дозволяє визначати максимально допустиме значення струму через тиристор і визначити орієнтовне значення терміну роботи тиристорів при циклічному навантаженні. EN: This article focuses on the method of determination of maximum and minimum junction temperatures of the thyristors semiconductor structure operating in the mode of cyclically varying loads. This allows to determine the maximum value of current through the thyristor and to determine the approximate value of the duration of the thyristors under cyclic loading.ruтиристортемпература полупроводниковой структурыциклический режимтепловое сопротивлениетиристортемпература напівпровідникової структурициклічний режимтепловий опірthyristorjunction temperaturecyclic modethermal resistanceОпределение температуры полупроводниковой структуры тиристора при циклической нагрузкеВизначення температури напівпровідникової структури тиристора при циклічному навантаженніDetermination of temperature of the thyristor semiconductor structure under cyclic loadingArticle