Таланін, Віталій ІгоровичTalanin, Vitaliy I.Таланин, Виталий ИгоревичТаланін, Ігор ЄвгеновичTalanin, Igor E.Таланин, Игорь ЕвгеньевичСирота, Анатолій ВасильовичSyrota, Anatoliy V.Сирота, Анатолий Васильевич2015-03-242015-03-242008http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/232Controlling the dislocation-free silicon monocrystals defect structure on the crystal growth phase. / V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.V. Sirota / New technologiesUK: Розглянута проблема формування вторинних ростових мікродефектів (вакансійних мікропор) у бездислокаційному монокристалі кремнію. Розроблено додаток для програмної реалізації математичної моделі утворення мікродефектів. RU: Проведено чисельний розрахунок моделі, що підтвердив основні положення гетерогенної дифузійної моделі утворення ростових мікродефектів. EN: The secondary grown-in microdefects formation (vacancy clusters) problem in the dislocation-free silicon monocrystals is considered in this article. The application for mathematical model software support is developed. The model numerical computation is realized. It confirms the main statements of heterogenic diffusion model of grown-in microdefects formation. Рассмотрена математическая модель и алгоритм расчета процесса образования вторичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния . Предлагается последовательность действий, за счет которых появляется возможность управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности, за счет уничтожения условий для создания таких вторичных ростовых микродефектов, как вакансионные микропоры.ruростові мікродефектибездіслокаційний монокристал кремніювторинні ростові дефектигетерогенний механизм дефектоутворенняgrown-in microdefectsdislocation-free silicon monocrystalssecondary grown-in microdefectsheterogenic diffusion modelростовые микродефектыбездислокационный монокристалл кремниявторичные ростовые дефектыгетерогенный механизм дефектообразованияArticle