Browsing by Author "Slyusarova, Tetiana I."
Now showing 1 - 3 of 3
Results Per Page
Sort Options
Item Диферінтегральна модель дрейфу носіїв зарядів у полі фрактального метаматеріального середовища(Берд. держ. пед. ун-т, 2021) Онуфрієнко, Володимир Михайлович; Onufrienko, Volodymyr M.; Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.; Слюсарова, Тетяна Іванівна; Slyusarova, Tetiana I.; Онуфрієнко, Леонід Михайлович; Onufrienko, Leonid M.UK: Для виявлення ефектів просторового перебігу, що можуть виникати у приладах з від‘ємними ємностями та індуктивностями, розвиваємо далі фрактальну модель дрейфу заряджених частинок у фрактально конфігурованому шарі. Такий фізико-математичний підхід надає нам можливість змоделювати фрактальний рух носіїв заряду, спрямований в одному напрямку (фрактальний дрейф), що накладається на ізотропний хаотичний тепловий рух, внаслідок чого виникає неізотропність руху заряду (струму). EN: In order to identify the spatial flow effects that can occur in devices with negative capacitances and inductances, we further develop a fractal model of the drift of charged particles in a fractally configured layer. Such a physical-mathematical approach gives us the opportunity to model the fractal movement of charge carriers directed in one direction (fractal drift), which is superimposed on isotropic chaotic thermal movement, as a result of which non-isotropy of charge (current) movement occurs.Item Стоко-джерельна модель буферності зв’язаних фрактальних автогенераторних елементів(Zdar nad Sazavou, 2022) Онуфрієнко, Володимир Михайлович; Onufrienko, Volodymyr; Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.; Слюсарова, Тетяна Іванівна; Slyusarova, Tetiana I.; Зіненко, Ігор Іванович; Zinenko, Ihor I.UK: Використання кондивергентного оператора в рівняннях неперервності потоків поля сукупності електричних і магнітних стоко-джерельних елементів дозволяє сформулювати фрактальну модель динаміки коливальних фрактальних об‘єктів для системи Вітта. Ця крайова задача є математичною моделлю автогенератора, у вигляді систем диферінтегральних рівнянь з дробовими частинними похідними деякого порядку, що описують геометричну і часову структуру реального процесу. Кожний окремий процес описується розв‘язком такої системи рівнянь з виділенням окремого розв‘язку за заданими межевими та початковими умовами. EN: The use of the condivergent operator in the equations of the continuity of the field flows of the set of electric and magnetic drain-source elements allows us to formulate a fractal model of the dynamics of oscillating fractal objects for the Witt system. This boundary value problem is a mathematical model of the autogenerator, in the form of systems of differential integral equations with fractional partial derivatives of a certain order, describing the geometric and time structure of the real process. Each separate process is described by the solution of such a system of equations with the selection of a separate solution according to the given boundary and initial conditions.Item Умови електричного пробою фрактального каналу польового нанотранзистора(Кременчук: ПП Щербатих О.В, 2022) Фасоляк, Антон Володимирович; Fasolyak, Anton V.; Слюсарова, Тетяна Іванівна; Slyusarova, Tetiana I.; Засовенко, Андрій Володимирович; Zasovenko, Andriy V.; Килимник, Ірина Михайлівна; Kylymnyk, Iryna M.; Онуфрієнко, Володимир Михайлович; Onufrienko, Vologymyr M.UK: Робота теоретично підтверджує сильний вплив фрактального масштабування каналу на хід стокових характеристик нанотранзистора. Це пояснюється фрактальністю каналу і механізмами, що викликають швидке зростання струму при високих напругах між стоком і витоком, лавиноподібним розмноженням носіїв в каналі за рахунок ударної іонізації і пробою стік-підкладки. Спостерігався значний вплив на зсув порогових значень напруги пробою в умовах «м’якого» та «різкого» пробою, що мотивується фрактальною конфігурацією переходів стік-підкладка. EN: The work theoretically confirms the strong channel fractal scaling influence on the drain characteristics course of nanotransistor. This is explained by the fractality of the channel and the mechanisms that cause the rapid increase of the current at high voltages between the drain and the source, by the avalanche multiplication of carriers in the channel due to shock ionization, and the breakdown of the drain-substrate. A significant effect on the shift of the breakdown voltage threshold values in the conditions of "soft" and "sharp" breakdown was observed, which is motivated by the fractal configuration of the drain-substrate transitions.