Моделювання провідності напівпровідникового каналу з фрактально конфігурованими межами

Simple item page
dc.contributor.authorОнуфрієнко, Володимир Михайлович
dc.contributor.authorOnufrienko, Volodymyr
dc.contributor.authorОнуфрієнко, Леонід Михайлович
dc.contributor.authorOnufrienko, Leonid
dc.date.accessioned2025-05-22T08:43:41Z
dc.date.available2025-05-22T08:43:41Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionОнуфрієнко В. М. Моделювання провідності напівпровідникового каналу з фрактально конфігурованими межами / В. М. Онуфрієнко, Л. М. Онуфрієнко // Тиждень науки-2019. Машинобудівний факультет. Тези доповідей науково-практичної конференції, Запоріжжя, 15-19 квітня 2019 р. / Редкол. : В. В. Наумик (відпов. ред.) Електрон. дані. – Запоріжжя : НУ «Запорізька політехніка», 2019. – С. 129-131.
dc.identifier.urihttps://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/21457
dc.language.isouk
dc.publisherНУ "Запорізька політехніка"
dc.subjectматематична модель
dc.subjectатомний шар транзистора
dc.subjectнульова напруга
dc.subjectmathematical model
dc.subjectatomic layer of a transistor
dc.subjectzero voltage
dc.titleМоделювання провідності напівпровідникового каналу з фрактально конфігурованими межами
dc.title.alternativeModeling the conductivity of a semiconductor channel with fractally configured boundaries
dc.typeThesis

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
S_Onufrienko 2.pdf
Size:
68 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download

Collections

Тиждень науки-2019. Машинобудівний факультет