Обумовлене деформацією регулювання забороненої зони фосфорену як перспективного 2d-матеріалу для наноелектроніки

dc.contributor.authorСоломенко, Анастасія Геннадіївна
dc.contributor.authorSolomenko, Anastasiia G.
dc.contributor.authorСагалянов, Ігор Юрійович
dc.contributor.authorSahalianov, Ihor Yu.
dc.contributor.authorРадченко, Тарас Михайлович
dc.contributor.authorRadchenko, Taras M.
dc.contributor.authorТатаренко, Валентин Андрійович
dc.contributor.authorTatarenko, Valentyn A.
dc.date.accessioned2025-11-07T12:01:39Z
dc.date.available2025-11-07T12:01:39Z
dc.date.issued2024
dc.descriptionСоломенко А. Г. Strain-caused band gap modulation in phosphorene as a promising 2d material for nanoelectronics / А. Г. Соломенко, І. Ю. Сагалянов, Т. М. Радченко, В. А. Татаренко // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекоммунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей ХІІ Міжнародної науково-практичної конференції (10-12 грудня 2024 р., м. Запоріжжя). – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2024. – С. 206-213.
dc.identifier.urihttps://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/24208
dc.language.isouk
dc.publisherНУ «Запорізька політехніка»
dc.subjectфосфорен
dc.subjectдеформація
dc.subjectзаборонена зона
dc.subjectгустина станів
dc.subjectнаноелектроніка
dc.subjectphosphorene
dc.subjectstrain
dc.subjectband gap
dc.subjectdensity of states
dc.subjectnanoelectronics
dc.titleОбумовлене деформацією регулювання забороненої зони фосфорену як перспективного 2d-матеріалу для наноелектроніки
dc.title.alternativeStrain-caused band gap modulation in phosphorene as a promising 2d material for nanoelectronics
dc.typeThesis

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
S_206 Solomenko.pdf
Size:
325.17 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: