Умови електричного пробою фрактального каналу польового нанотранзистора
| dc.contributor.author | Фасоляк, Антон Володимирович | |
| dc.contributor.author | Fasolyak, Anton V. | |
| dc.contributor.author | Слюсарова, Тетяна Іванівна | |
| dc.contributor.author | Slyusarova, Tetiana I. | |
| dc.contributor.author | Засовенко, Андрій Володимирович | |
| dc.contributor.author | Zasovenko, Andriy V. | |
| dc.contributor.author | Килимник, Ірина Михайлівна | |
| dc.contributor.author | Kylymnyk, Iryna M. | |
| dc.contributor.author | Онуфрієнко, Володимир Михайлович | |
| dc.contributor.author | Onufrienko, Vologymyr M. | |
| dc.date.accessioned | 2023-06-02T08:41:49Z | |
| dc.date.available | 2023-06-02T08:41:49Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.description | Умови електричного пробою фрактального каналу польового нанотранзистора [Текст] / А.В. Фасоляк, Т.І. Слюсарова, А.В. Засовенко, І.М. Килимник, В.М. Онуфрієнко, // Тези доповідей на VII Всеукраїнська науково-практична конференція «ПЕРСПЕКТИВНІ НАПРЯМКИ СУЧАСНОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ, ІНФОРМАЦІЙНИХ І КОМП'ЮТЕРНИХ СИСТЕМ» (MEICS-2022) 23-25 листопада 2022 р., м. Дніпро. — Кременчук: ПП Щербатих О.В., 2022. — С. 160-161. | uk |
| dc.description.abstract | UK: Робота теоретично підтверджує сильний вплив фрактального масштабування каналу на хід стокових характеристик нанотранзистора. Це пояснюється фрактальністю каналу і механізмами, що викликають швидке зростання струму при високих напругах між стоком і витоком, лавиноподібним розмноженням носіїв в каналі за рахунок ударної іонізації і пробою стік-підкладки. Спостерігався значний вплив на зсув порогових значень напруги пробою в умовах «м’якого» та «різкого» пробою, що мотивується фрактальною конфігурацією переходів стік-підкладка. EN: The work theoretically confirms the strong channel fractal scaling influence on the drain characteristics course of nanotransistor. This is explained by the fractality of the channel and the mechanisms that cause the rapid increase of the current at high voltages between the drain and the source, by the avalanche multiplication of carriers in the channel due to shock ionization, and the breakdown of the drain-substrate. A significant effect on the shift of the breakdown voltage threshold values in the conditions of "soft" and "sharp" breakdown was observed, which is motivated by the fractal configuration of the drain-substrate transitions. | uk |
| dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/9930 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Кременчук: ПП Щербатих О.В | uk |
| dc.title | Умови електричного пробою фрактального каналу польового нанотранзистора | uk |
| dc.title.alternative | Conditions of electrical breakdown of the fractal channel of the field-effect nanotransistor | uk |
| dc.type | Article | uk |