Ефект вкорочення довжини фрактального каналу польового транзистора
Loading...
Date
2021
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Кременчук: ПП Щербатих О.В.
Abstract
UK: Розглядається ефект скорочення у провідній фрактально конфігурованій напівпровідниковий канал і можливість контролю струму в пристроях радіоелектроніки працюючи на основі зміни провідності каналу між джерелом і стоком. Теоретичні результати дослідження запропоновані для впровадження до розглянутої транзисторної структури с конфігурацією фрактального каналу у складі напівпровідникових інтегрованих мікро- та наносхем пристроїв дробового інтегродиференціювання в адаптивних системах, програмованих аналогах інтегральних схем, фільтрах, розв'язувачах диференціальних порядків.
EN: The paper considers the shortening effect in the conductive fractally configured semiconductor channel and the possibility of current control in radio electronics devices operating on the changing basis channel conductivity between source and drain. Theoretical results of the research are offered for introduction of the considered transistor structure with fractal channel configuration as a part of semiconductor integrated micro- and nanoschemes of devices of fractional integrodifferentiation in adaptive systems, programmable analog integrated circuits, filters, differential orders solvers.
Description
Ефект вкорочення довжини фрактального каналу польового транзистора [Текст] / А.В. Засовенко, В.М. Онуфрієнко, А.В. Фасоляк // Тези доповідей на VI Всеукраїнська. наук.-практ. конф. «Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних і комп’ютерних систем» (MEICS-2021), Дніпро, 24-26 листопада 2021 р. — Кременчук: ПП Щербатих О.В., 2021. — С. 192-193.