Методичні вказівки до виконання комплексного курсового проєкту з дисципліни «Нанокластерні і плівкові структури» для студентів спеціальності 153 «Мікро- та наносистемна техніка», магістерського рівня, освітня програма: «Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої» денної і заочної форм навчання
dc.contributor.author | Погосов, Валентин Вальтерович | |
dc.contributor.author | Pogosov, Valentin V. | |
dc.date.accessioned | 2022-12-15T10:11:50Z | |
dc.date.available | 2022-12-15T10:11:50Z | |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.description | Методичні вказівки до виконання комплексного курсового проєкту з дисципліни «Нанокластерні і плівкові структури» для студентів спеціальності 153 «Мікро- та наносистемна техніка», магістерського рівня, освітня програма: «Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої» денної і заочної форм навчання/ Укл.: В.В. Погосов. - Запоріжжя: Національний університет «Запорізька політехніка», 2022. - 70 с. | uk |
dc.description.abstract | UK: Комплексний курсовий проєкт складається з трьох тем. • Тема 1 “Розрахунок ВАХ одноелектронного транзистора”, ґрунтується, переважно, на дисциплінах: “Фізична хімія”, “Фізика твердого тіла” і “Квантова механіка”. • Тема 2 “Розрахунок висоти бар’єра Шотткі для метал- діелектричного сандвіча методом функціонала густини”, ґрунтується, переважно, на дисциплінах: “Матеріали мікро- та наноелектроніки”, “Квантова механіка”, “Фізика твердого тіла”, “Фізика діелектриків”, “Основи фізики поверхні та ультрадисперсних середовищ“ і “Вступ до мезоскопічної фізики“. • Тема 3 “Кулонівська нестійкість металевих кластерiв”, ґрунтується, переважно, на дисциплінах: “Фізика”, “Фізична хімія”, “Матеріали мікро- та наноелектроніки”, “Фізика твердого тіла”, “Нанокластерні структури” і “Елементи фізики колоїдних, аерозольних та пилових систем”. EN: The complex course project consists of three topics. • Topic 1 "Calculation of I-V characteristics of a single-electron transistor" is mainly based on the following disciplines: "Physical Chemistry", "Physics of Solids" and "Quantum Mechanics". • Topic 2 "Calculation of the height of the Schottky barrier for a metal-dielectric sandwich by the density functional method" is mainly based on the disciplines: "Micro- and nanoelectronics materials", "Quantum mechanics", "Physics of solids", "Physics of dielectrics" , "Fundamentals of Surface Physics and Ultradisperse Media" and "Introduction to Mesoscopic Physics". • Topic 3 "Coulomb instability of metal clusters" is mainly based on the following disciplines: "Physics", "Physical chemistry", "Micro- and nanoelectronics materials", "Solid state physics", "Nanocluster structures" and "Elements of colloidal physics, aerosol and dust systems". | uk |
dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/9233 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Національний університет «Запорізька політехніка» | uk |
dc.subject | розрахунок вах одноелектронного транзистора (оет) | uk |
dc.subject | розрахунок висоти бар’єра шотткі | uk |
dc.subject | кулонївська нестійкість металевих кластерів | uk |
dc.subject | calculation of wattage of a single-electron transistor (OTT) | uk |
dc.subject | calculation of Schottky barrier height | uk |
dc.subject | Coulomb instability of metal clusters | uk |
dc.title | Методичні вказівки до виконання комплексного курсового проєкту з дисципліни «Нанокластерні і плівкові структури» для студентів спеціальності 153 «Мікро- та наносистемна техніка», магістерського рівня, освітня програма: «Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої» денної і заочної форм навчання | uk |
dc.title.alternative | Methodological instructions for the implementation of a complex course project in the discipline "Nanocluster and film structures" for students of the specialty 153 "Micro- and nanosystem engineering", master's level, educational program: "Micro- and nanoelectronic devices and devices" full-time and part-time forms of education | uk |
dc.type | Methodological guidelines | uk |