Моделювання транзисторів НВЧ у малосигнальному режимі

Abstract

UK: Магістерська робота присвячена моделюванню планарних транзисторів НВЧ, розробці моделі транзисторів у надширокій смузі частот та розрахунку і проектуванню на цій основі НВЧ широкосмугових підсилювачів. Метою роботи є моделювання НВЧ планарних транзисторів у малосигнальному режимі. На основі аналітичного огляду аналогічних моделей НВЧ транзисторів розроблена узагальнена еквівалентна схема транзистора з обліком паразитних параметрів виводів корпусу. EN: The master's thesis is devoted to the modeling of planar microwave transistors, the development of a model of transistors in the ultra-wide frequency band, the calculation and design on this basis of microwave broadband amplifiers. The aim of the work is to model microwave planar transistors in low signal mode. On the basis of the analytical review of similar models of microwave transistors the generalized equivalent scheme of the transistor taking into account parasitic parameters of conclusions of the case is developed. RU: Магистерская работа посвящена моделированию планарных транзисторов СВЧ, разработке модели транзисторов в сверхширокой полосе частот, расчету и проектированию на этой основе СВЧ широкополосных усилителей. Целью работы является моделирование СВЧ планарных транзисторов в малосигнальном режиме. На основе аналитического обзора аналогичных моделей СВЧ транзисторов разработана обобщенная эквивалентная схема транзистора с учетом паразитных параметров выводов корпуса.