Моделювання ємності фрактально провідного напівпровідника в діапазоні низьких і високих частот
| dc.contributor.author | Сніжко, Наталія Вікторівна | |
| dc.contributor.author | Snizhko, Nataliia V. | |
| dc.contributor.author | Снижко, Наталия Викторовна | |
| dc.contributor.author | Онуфрієнко, Володимир Михайлович | |
| dc.contributor.author | Onufriyenko, Volodymyr M. | |
| dc.contributor.author | Онуфриенко, Владимир Михайлович | |
| dc.contributor.author | Антоненко, Ніна Миколаївна | |
| dc.contributor.author | Antonenko, Nina M. | |
| dc.contributor.author | Антоненко, Нина Николаевна | |
| dc.date.accessioned | 2021-05-14T08:36:50Z | |
| dc.date.available | 2021-05-14T08:36:50Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.description | Онуфриенко В.М., Снижко Н.В., Антоненко Н.Н. Моделирование емкости фрактально проводящего полупроводника в диапазоне низких и высоких частот [Текст] / В.М. Онуфриенко, Н.В. Снижко, Н.Н. Антоненко // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах: матеріали дев’ятнадцятої міжнародної науково-технічної конференції (м. Одеса, 26-29 червня 2020 р), Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. Попова. – Одеса: ФОП Бондаренко М. О., 2020. – 150 с. – С. 23-24. | uk |
| dc.description.abstract | UK: Представлена теоретична модель оцінки виміряних даних про ємнісні та скейлінгові властивості природних або штучно створених зразків. Геометричні і фізичні властивості таких зразків моделюються введенням в розгляд фізичних фрактальних зарядів (струмових елементів), що виявляються в сегнетоелектричних і напівпровідникових метаматеріалах. Визначено зв'язок скейлінгових властивостей зразка з метаматеріалу із проявом гістерезису вимірюваних значень ємності. EN: The teoretical model for evaluating the measured data on the capacitive and scaling properties of natural or artificially created samples is presented. The geometric and physical properties of such samples are modeled by introducing physical fractal charges (current elements) into consideration, which are manifested in the ferroelectric and semiconductor metamaterial. The relationship of the scaling properties of the metamaterial sample with the manifestation of a hysteresis of the measured capacitance values is determined. RU: Представлена теоретическая модель оценки измеренных данных об емкостных и скейлинговых свойствах естественных или искусственно созданных образцов. Геометрические и физические свойства таких образцов моделируются вводом в рассмотрение физических фрактальных зарядов (токовых элементов), проявляющихся в сегнетоэлектрическом и полупроводниковом метаматериале. Определена связь скейлинговых свойств образца из метаматериала с проявлением гистерезиса измеряемых значений емкости. | uk |
| dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/7411 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. Попова | uk |
| dc.subject | фрактальна ємність | uk |
| dc.subject | напівпровідниковий метаматеріал | uk |
| dc.subject | скейлінговый показник | uk |
| dc.subject | гістерезис просторових компонент | uk |
| dc.subject | fractal capacity | uk |
| dc.subject | semiconductor metamaterial | uk |
| dc.subject | scaling indicator | uk |
| dc.subject | spatial components hysteresis | uk |
| dc.subject | фракальная ёмкость | uk |
| dc.subject | полупроводниковый метаматериал | uk |
| dc.subject | скейлинговый показатель | uk |
| dc.subject | гистерезис пространственных компонент | uk |
| dc.title | Моделювання ємності фрактально провідного напівпровідника в діапазоні низьких і високих частот | uk |
| dc.title.alternative | Рaper the capacity simulation of fractally conducting semiconductor in low and high frequencies | uk |
| dc.title.alternative | Моделирование емкости фрактально проводящего полупроводника в диапазоне низких и высоких частот | uk |
| dc.type | Article | uk |