Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Елементи та компоненти електронних систем”

dc.contributor.authorКоротун, Андрій Віталійович
dc.contributor.authorСмирнова, Ніна Анатоліївна
dc.contributor.authorНагорна, Ніна Миколаївна
dc.contributor.authorПавлище, Назар Ігорович
dc.contributor.authorKorotun, Andriy V.
dc.contributor.authorSmirnova, Nina A.
dc.contributor.authorNagornaya, Nina N.
dc.contributor.authorPavlyshche, Nazar І.
dc.contributor.authorКоротун, Андрей Витальевич
dc.contributor.authorСмирнова, Нина Анатольевна
dc.contributor.authorНагорная, Нина Николаевна
dc.contributor.authorПавлыще, Назар Игоревич
dc.date.accessioned2021-12-29T08:45:10Z
dc.date.available2021-12-29T08:45:10Z
dc.date.issued2021
dc.descriptionМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Елементи та компоненти електронних систем” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / Укл.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна, Н. І. Павлище. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2021. – 70 с.uk
dc.description.abstractUK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів як основ елементів та компонентів електронних систем. EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the properties of the pn junction. The paper presents guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diodes, bipolar and field-effect transistors as the basis of elements and components of electronic systems. RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых устройств основан на использовании параметров р-n перехода. В работе представлены методические указания выполнения лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов как основ элементов и компонентов электронных систем.uk
dc.identifier.urihttp://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/8180
dc.language.isoukuk
dc.publisherНаціональний університет «Запорізька політехніка»uk
dc.subjectдіодuk
dc.subjectпробійuk
dc.subjectбіполярний транзисторuk
dc.subjectdiodeuk
dc.subjectbreakdownuk
dc.subjectbipolar transistoruk
dc.subjectдиодuk
dc.subjectпробойuk
dc.subjectбиполярный транзисторuk
dc.titleМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Елементи та компоненти електронних систем”uk
dc.title.alternativeMethodical instructions for laboratory work in the discipline "Elements and components of electronic systems"uk
dc.title.alternativeМетодические указания к лабораторным работам по дисциплине "Элементы и компоненты электронных систем"uk
dc.typeMethodological guidelinesuk

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
M08248.pdf
Size:
1.41 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Методичні вказівки
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: