Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію
Loading...
Date
2007
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Укрпатент
Abstract
UK: Винахід відноситься до галузі металургії високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію, що являються основним матеріалом для виготовлення елементної бази сучасної електронної промисловості. В основу винаходу поставлено завдання розробки способу який дозволяє керувати дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію, зокрема подавляти утворення вакансійних мікропор та міжвузловиних діслокаційних петель, які критичним чином впливають на якість вихідних монокристалів та структур на їх основі.
EN: The invention relates to the field of metallurgy of high-quality silicon single-crystalline single crystals, which are the main material for the manufacture of the elemental base of modern electronic industry. The object of the invention is to develop a method that allows you to control the defective structure of silicon single-crystal single crystals, in particular to suppress the formation of vacant micropores and inter-node dislocation loops, which critically affect the quality of the original single crystals and structures based on them.
RU: Изобретение относится к области металлургии высококачественных бездислокационных монокристаллов кремния, являются основным материалом для изготовления элементной базы современной электронной промышленности. В основу изобретения поставлена задача разработки способа который позволяет управлять дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности подавлять образование вакансионных микропор и междоузлия дислокацийних петель, которые критическим образом влияют на качество исходных монокристаллов и структур на их основе.
Description
Патент на корисну модель № 21853 (Україна), Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію / Таланін І.Є., Таланін В.І., Сирота А.В. заявл. 11.09.2006; опубл. 10.04.2007, Бюл. №4.
Keywords
growth microdefects, heterogeneous diffusion model, dislocation-free silicon single crystals, ростові мікродефекти, гетерогенна диффузиона модель, бездіслокаційні монокристали кремнію, ростовые микродефекты, гетерогенная диффузионная модель, бездислокационные монокристаллы кремния