Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію
| dc.contributor.author | Таланін, Віталій Ігорович | |
| dc.contributor.author | Таланін, Ігор Євгенович | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолій Васильович | |
| dc.contributor.author | Talanin Vitaliy I. | |
| dc.contributor.author | Talanin, Igor E. | |
| dc.contributor.author | Sirota, Anatolij V. | |
| dc.contributor.author | Таланин, Виталий Игоревич | |
| dc.contributor.author | Таланин, Игорь Евгеньевич | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолий Васильевич | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-25T13:09:52Z | |
| dc.date.available | 2019-11-25T13:09:52Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.description | Патент на корисну модель № 21853 (Україна), Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію / Таланін І.Є., Таланін В.І., Сирота А.В. заявл. 11.09.2006; опубл. 10.04.2007, Бюл. №4. | uk |
| dc.description.abstract | UK: Винахід відноситься до галузі металургії високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію, що являються основним матеріалом для виготовлення елементної бази сучасної електронної промисловості. В основу винаходу поставлено завдання розробки способу який дозволяє керувати дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію, зокрема подавляти утворення вакансійних мікропор та міжвузловиних діслокаційних петель, які критичним чином впливають на якість вихідних монокристалів та структур на їх основі. EN: The invention relates to the field of metallurgy of high-quality silicon single-crystalline single crystals, which are the main material for the manufacture of the elemental base of modern electronic industry. The object of the invention is to develop a method that allows you to control the defective structure of silicon single-crystal single crystals, in particular to suppress the formation of vacant micropores and inter-node dislocation loops, which critically affect the quality of the original single crystals and structures based on them. RU: Изобретение относится к области металлургии высококачественных бездислокационных монокристаллов кремния, являются основным материалом для изготовления элементной базы современной электронной промышленности. В основу изобретения поставлена задача разработки способа который позволяет управлять дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности подавлять образование вакансионных микропор и междоузлия дислокацийних петель, которые критическим образом влияют на качество исходных монокристаллов и структур на их основе. | uk |
| dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4990 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Укрпатент | uk |
| dc.subject | growth microdefects | uk |
| dc.subject | heterogeneous diffusion model | uk |
| dc.subject | dislocation-free silicon single crystals | uk |
| dc.subject | ростові мікродефекти | uk |
| dc.subject | гетерогенна диффузиона модель | uk |
| dc.subject | бездіслокаційні монокристали кремнію | uk |
| dc.subject | ростовые микродефекты | uk |
| dc.subject | гетерогенная диффузионная модель | uk |
| dc.subject | бездислокационные монокристаллы кремния | uk |
| dc.title | Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію | uk |
| dc.title.alternative | Method for growing dislocation-free silicon single crystals from a melt | uk |
| dc.title.alternative | Способ выращивания из разсплава бездислокационных монокристаллов кремния | uk |
| dc.type | Patent | uk |