Вплив параметрів травлення пластин кремнія n-типу на глибину дифузії алюмінію та бору.
| dc.contributor.author | Кривоус, Андрій Сергійович | |
| dc.contributor.author | Kryvous, Andrii Sergiiovych | |
| dc.contributor.author | Сніжной, Геннадій Валентинович | |
| dc.contributor.author | Snizhnoi, Gennadii Valentinovych | |
| dc.contributor.author | Солодовник, Анатолій Іванович | |
| dc.contributor.author | Solodovnyk, Anatolii Ivanovych | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-07T11:36:44Z | |
| dc.date.available | 2025-11-07T11:36:44Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.description | Кривоус А. С. Вплив параметрів травлення пластин кремнія n-типу на глибину дифузії алюмінію та бору / А. С. Кривоус, Г. В. Сніжной , А. І. Солодовник // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекоммунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей ХІІ Міжнародної науково-практичної конференції (10-12 грудня 2024 р., м. Запоріжжя). – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2024. – С. 188-190. | |
| dc.identifier.uri | https://eir.zp.edu.ua/handle/123456789/24201 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | НУ «Запорізька політехніка» | |
| dc.subject | травлення пластин | |
| dc.subject | глибина дифузії | |
| dc.subject | силова електроніка | |
| dc.subject | etching parameters | |
| dc.subject | depth of diffusion | |
| dc.subject | power electronics | |
| dc.title | Вплив параметрів травлення пластин кремнія n-типу на глибину дифузії алюмінію та бору. | |
| dc.title.alternative | The effect of etching parameters of n-type silicon wafers on the depth of diffusion of aluminum and boron. | |
| dc.type | Thesis |