Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка”
Loading...
Files
Date
2020
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Національний університет «Запорізька політехніка»
Abstract
UK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів.
EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the rn junction properties. The paper presents methodological guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diode, bipolar and field transistors.
RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р-n перехода. В работе представлены методические указания по выполнению лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов.
Description
Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / уклад.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2020. – 69 с.
Keywords
діод, пробій, біполярний транзистор, польовий транзистор, diode, breakdown, bipolar transistor, field transistor, диод, пробой, биполярный транзистор, полевой транзистор