Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка”
dc.contributor.author | Коротун, Андрій Віталійович | |
dc.contributor.author | Смирнова, Ніна Анатоліївна | |
dc.contributor.author | Нагорна, Ніна Миколаївна | |
dc.contributor.author | Korotun, Andriy V. | |
dc.contributor.author | Smirnova, Nina A. | |
dc.contributor.author | Nagornaya, Nina N. | |
dc.contributor.author | Коротун, Андрей Витальевич | |
dc.contributor.author | Смирнова, Нина Анатольевна | |
dc.contributor.author | Нагорная, Нина Николаевна | |
dc.date.accessioned | 2020-02-28T08:07:18Z | |
dc.date.available | 2020-02-28T08:07:18Z | |
dc.date.issued | 2020 | |
dc.description | Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / уклад.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2020. – 69 с. | uk |
dc.description.abstract | UK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів. EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the rn junction properties. The paper presents methodological guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diode, bipolar and field transistors. RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р-n перехода. В работе представлены методические указания по выполнению лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов. | uk |
dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/5649 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Національний університет «Запорізька політехніка» | uk |
dc.subject | діод | uk |
dc.subject | пробій | uk |
dc.subject | біполярний транзистор | uk |
dc.subject | польовий транзистор | uk |
dc.subject | diode | uk |
dc.subject | breakdown | uk |
dc.subject | bipolar transistor | uk |
dc.subject | field transistor | uk |
dc.subject | диод | uk |
dc.subject | пробой | uk |
dc.subject | биполярный транзистор | uk |
dc.subject | полевой транзистор | uk |
dc.title | Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” | uk |
dc.title.alternative | Methodological instructions for laboratory work in the discipline "Solid State Electronics" | uk |
dc.title.alternative | Методические указания к лабораторным работам по дисциплине "Твердотельная электроника" | uk |
dc.type | Methodological guidelines | uk |