Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка”

dc.contributor.authorКоротун, Андрій Віталійович
dc.contributor.authorСмирнова, Ніна Анатоліївна
dc.contributor.authorНагорна, Ніна Миколаївна
dc.contributor.authorKorotun, Andriy V.
dc.contributor.authorSmirnova, Nina A.
dc.contributor.authorNagornaya, Nina N.
dc.contributor.authorКоротун, Андрей Витальевич
dc.contributor.authorСмирнова, Нина Анатольевна
dc.contributor.authorНагорная, Нина Николаевна
dc.date.accessioned2020-02-28T08:07:18Z
dc.date.available2020-02-28T08:07:18Z
dc.date.issued2020
dc.descriptionМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка” 152 „Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка“ (освітня програма: „Якість, стандартизація та сертифікація“); 153 „Мікро- та наносистемна техніка“ (освітня програма: „Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої“) денної й заочної форм навчання / уклад.: А. В. Коротун, Н. А. Смирнова, Н. М. Нагорна. – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2020. – 69 с.uk
dc.description.abstractUK: Принцип роботи більшості сучасних напівпровідникових приладів оснований на використанні властивостей р-n переходу. В роботі представлено методичні вказівки щодо виконання лабораторного практикуму для дослідження основних напівпровідникових приладів та їх характеристик: діода, біполярного та польового транзисторів. EN: The principle of operation of most modern semiconductor devices is based on the use of the rn junction properties. The paper presents methodological guidelines for the implementation of a laboratory workshop for the study of basic semiconductor devices and their characteristics: diode, bipolar and field transistors. RU: Принцип работы большинства современных полупроводниковых приборов основан на использовании свойств р-n перехода. В работе представлены методические указания по выполнению лабораторного практикума для исследования основных полупроводниковых приборов и их характеристик: диода, биполярного и полевого транзисторов.uk
dc.identifier.urihttp://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/5649
dc.language.isoukuk
dc.publisherНаціональний університет «Запорізька політехніка»uk
dc.subjectдіодuk
dc.subjectпробійuk
dc.subjectбіполярний транзисторuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectdiodeuk
dc.subjectbreakdownuk
dc.subjectbipolar transistoruk
dc.subjectfield transistoruk
dc.subjectдиодuk
dc.subjectпробойuk
dc.subjectбиполярный транзисторuk
dc.subjectполевой транзисторuk
dc.titleМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни “Твердотіла електроніка”uk
dc.title.alternativeMethodological instructions for laboratory work in the discipline "Solid State Electronics"uk
dc.title.alternativeМетодические указания к лабораторным работам по дисциплине "Твердотельная электроника"uk
dc.typeMethodological guidelinesuk

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
M07489.pdf
Size:
1.65 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Методичні вказівки
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: