Расчет, оптимизация характеристик модели интегрального p-i-n фотодиода микромощного оптрона УВЧ диапазона для переключательных схем

Abstract

UK: У статті представлені етапи розрахунку планарного ІЧ p-i-n фотодіода УВЧ та моделювання його характеристик для декількох профілів концентрації домішки Na в p + області. На підставі залежностей показана можливість підвищення ефективності перетворення випромінювання і фотогенерації p-i-n фотодіода за рахунок зсуву максимальної домішки концентрації Na в глибину p + області, де процеси поверхневої рекомбінації знижуються. EN: The paper presents the stages of the calculation of a planar IR p-i-n photodiode UHF and modeling of its performance for several profiles of the impurity concentration of Na in the p+ area. Based on thedependencies shown the possibility of increasing the efficiency of conversion of radiation and photogenerationp-i-n photodiode due to the shift of the maximum impurity concentration Na deep p+ area, where the surface recombination processes are reduced. RU: В статье представлены этапы расчета планарного ИК p-i-n фотодиода УВЧ и моделирования его работоспособности для нескольких профилей концентрации примеси Na в области p +. На основании зависимостей показана возможность повышения эффективности преобразования излучения и фотогенерации p-i-n-фотодиода за счет смещения максимальной концентрации примеси Na в глубину p + области, где процессы поверхностной рекомбинации снижаются.