Управление дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла

dc.contributor.authorТаланін, Віталій Ігорович
dc.contributor.authorTalanin, Vitaliy I.
dc.contributor.authorТаланин, Виталий Игоревич
dc.contributor.authorТаланін, Ігор Євгенович
dc.contributor.authorTalanin, Igor E.
dc.contributor.authorТаланин, Игорь Евгеньевич
dc.contributor.authorСирота, Анатолій Васильович
dc.contributor.authorSyrota, Anatoliy V.
dc.contributor.authorСирота, Анатолий Васильевич
dc.date.accessioned2015-03-24T11:22:27Z
dc.date.available2015-03-24T11:22:27Z
dc.date.issued2008
dc.descriptionControlling the dislocation-free silicon monocrystals defect structure on the crystal growth phase. / V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.V. Sirota / New technologiesuk
dc.description.abstractUK: Розглянута проблема формування вторинних ростових мікродефектів (вакансійних мікропор) у бездислокаційному монокристалі кремнію. Розроблено додаток для програмної реалізації математичної моделі утворення мікродефектів. RU: Проведено чисельний розрахунок моделі, що підтвердив основні положення гетерогенної дифузійної моделі утворення ростових мікродефектів. EN: The secondary grown-in microdefects formation (vacancy clusters) problem in the dislocation-free silicon monocrystals is considered in this article. The application for mathematical model software support is developed. The model numerical computation is realized. It confirms the main statements of heterogenic diffusion model of grown-in microdefects formation. Рассмотрена математическая модель и алгоритм расчета процесса образования вторичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния . Предлагается последовательность действий, за счет которых появляется возможность управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности, за счет уничтожения условий для создания таких вторичных ростовых микродефектов, как вакансионные микропоры.uk
dc.identifier.urihttp://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/232
dc.language.isoruuk
dc.publisherКременчуцький університет економики, інформаційних техноьогій та управлінняuk
dc.subjectростові мікродефектиuk
dc.subjectбездіслокаційний монокристал кремніюuk
dc.subjectвторинні ростові дефектиuk
dc.subjectгетерогенний механизм дефектоутворенняuk
dc.subjectgrown-in microdefectsuk
dc.subjectdislocation-free silicon monocrystalsuk
dc.subjectsecondary grown-in microdefectsuk
dc.subjectheterogenic diffusion modeluk
dc.subjectростовые микродефектыuk
dc.subjectбездислокационный монокристалл кремнияuk
dc.subjectвторичные ростовые дефектыuk
dc.subjectгетерогенный механизм дефектообразованияuk
dc.titleУправление дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристаллаuk
dc.title.alternativeControlling the dislocation-free silicon monocrystals defect structure on the crystal growth phaseuk
dc.title.alternativeУправління дефектною структурою бездіслокаційних монокристалів кремнію на стадії росту кристалуuk
dc.typeArticleuk

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Sirota.pdf
Size:
377.46 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Статті
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: