Browsing by Author "Talanin, Vitaliy I."
Now showing 1 - 4 of 4
Results Per Page
Sort Options
Item The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Воронін, Олександр Олександрович; Сирота, Анатолій Васильович; Корягин, Сергій Андрійович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Voronin, Alexander A.; Sirota, Anatolij V.; Koryagin, Sergey A.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Воронин, Александр Александрович; Сирота, Анатолий Васильович; Корягин, Сергей АндреевичUK: Розробка моделі дефектної структури бездислокаційних мнонокрісталлов кремнію. Моделювання процесів формування та взаємодії вирощених микродефектов, з використанням адекватної фізичної моделі. EN: Development of a model of the defective structure of dislocation-free silicon single crystals. Modeling the processes of formation and interaction of grown microdefects, using an adequate physical model. RU: Разработка модели дефектной структуры бездислокационных мнонокристаллов кремния. Моделирование процессов формирования и взаимодействия выращенных микродефектов, с использованием адекватной физической модели.Item Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния.(Державний технологічний університет «Московський інститут сталі і сплавів», МИСиС, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Сформульовано математична модель процесу утворення первинних ростових мікродефектів на основі диссоциативного процесу дифузії. Розглянуто випадки взаємодії «кисень-вакансія» (0 + V) і «вуглець-власний межузельний атом кремнію» (З + 1) поблизу фронту кристалізації для бездислокаційних монокристалів кремнію, отриманих методами бестигельной зонного плавлення і Чохральського EN: A mathematical model of the process of formation of primary growth microdefects based on the dissociative diffusion process is formulated. The cases of oxygen-vacancy (0 + V) and carbon-intrinsic interstitial silicon atom (C + 1) interactions near the crystallization front for dislocation-free silicon single crystals obtained by crucibleless and Czochralski methods are considered. RU: Сформулирована математическая модель процесса образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативного процесса диффузии. Рассмотрены случаи взаимодействия «кислород-вакансия» (0+V) и «углерод-собственный межузельный атом кремния» (С+1) вблизи фронта кристаллизации для бездислокационных монокристаллов кремния, полученных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского.Item Моделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектов(м. Кременчук, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління., 2008) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий.Item Управление дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла(Кременчуцький університет економики, інформаційних техноьогій та управління, 2008) Таланін, Віталій Ігорович; Talanin, Vitaliy I.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланін, Ігор Євгенович; Talanin, Igor E.; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолій Васильович; Syrota, Anatoliy V.; Сирота, Анатолий ВасильевичUK: Розглянута проблема формування вторинних ростових мікродефектів (вакансійних мікропор) у бездислокаційному монокристалі кремнію. Розроблено додаток для програмної реалізації математичної моделі утворення мікродефектів. RU: Проведено чисельний розрахунок моделі, що підтвердив основні положення гетерогенної дифузійної моделі утворення ростових мікродефектів. EN: The secondary grown-in microdefects formation (vacancy clusters) problem in the dislocation-free silicon monocrystals is considered in this article. The application for mathematical model software support is developed. The model numerical computation is realized. It confirms the main statements of heterogenic diffusion model of grown-in microdefects formation. Рассмотрена математическая модель и алгоритм расчета процесса образования вторичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния . Предлагается последовательность действий, за счет которых появляется возможность управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности, за счет уничтожения условий для создания таких вторичных ростовых микродефектов, как вакансионные микропоры.