Моделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектов
Loading...
Date
2008
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
м. Кременчук, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління.
Abstract
UK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах.
EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions
RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий.
Description
Таланин В. И., Таланин И. Е., Сирота А. В. Моделювання умов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектів / Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції «Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології» (МЕТТІТ-3), 21 травня 2008 р.
Keywords
growth microdefects, heterogeneous diffusion model, dislocation-free silicon single crystals, crucible zone melting, ростові мікродефекти, гетерогенна диффузиона модель, бездіслокаційні монокристали кремнію, бестигельне зонне плавлення, ростовые микродефекты, гетерогенная диффузионная модель, бездислокационные монокристаллы кремния, безтигельная зонная плавка