Моделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектов
| dc.contributor.author | Таланін, Віталій Ігорович | |
| dc.contributor.author | Таланін, Ігор Євгенович | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолій Васильович | |
| dc.contributor.author | Talanin, Vitaliy I. | |
| dc.contributor.author | Talanin, Igor E. | |
| dc.contributor.author | Sirota, Anatolij V. | |
| dc.contributor.author | Таланин, Виталий Игоревич | |
| dc.contributor.author | Таланин, Игорь Евгеньевич | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолий Васильович | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-25T12:09:22Z | |
| dc.date.available | 2019-11-25T12:09:22Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.description | Таланин В. И., Таланин И. Е., Сирота А. В. Моделювання умов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектів / Матеріали ІІІ Міжнародної науково-практичної конференції «Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології» (МЕТТІТ-3), 21 травня 2008 р. | uk |
| dc.description.abstract | UK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий. | uk |
| dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4984 | |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | м. Кременчук, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління. | uk |
| dc.subject | growth microdefects | uk |
| dc.subject | heterogeneous diffusion model | uk |
| dc.subject | dislocation-free silicon single crystals | uk |
| dc.subject | crucible zone melting | uk |
| dc.subject | ростові мікродефекти | uk |
| dc.subject | гетерогенна диффузиона модель | uk |
| dc.subject | бездіслокаційні монокристали кремнію | uk |
| dc.subject | бестигельне зонне плавлення | uk |
| dc.subject | ростовые микродефекты | uk |
| dc.subject | гетерогенная диффузионная модель | uk |
| dc.subject | бездислокационные монокристаллы кремния | uk |
| dc.subject | безтигельная зонная плавка | uk |
| dc.title | Моделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектов | uk |
| dc.title.alternative | Modeling of growth conditions and technology for producing dislocation-free silicon single crystals without secondary rast microdefects | uk |
| dc.title.alternative | умов зростання і технології отримання бездислокаційних монокристалів кремнію без вторинних растових мікродефектів | uk |
| dc.type | Article | uk |