The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure
Loading...
Date
2007
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Abstract
UK: Розробка моделі дефектної структури бездислокаційних мнонокрісталлов кремнію. Моделювання процесів формування та взаємодії вирощених микродефектов, з використанням адекватної фізичної моделі.
EN: Development of a model of the defective structure of dislocation-free silicon single crystals. Modeling the processes of formation and interaction of grown microdefects, using an adequate physical model.
RU: Разработка модели дефектной структуры бездислокационных мнонокристаллов кремния. Моделирование процессов формирования и взаимодействия выращенных микродефектов, с использованием адекватной физической модели.
Description
V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota, S. A. Koryagin The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure / III Украинская научная конференция по физике полупроводников (USCPS-3) с международным участием, 17-22 июня 2007 г., Одесса, Украина
Keywords
growth microdefects, interstitial, dislocation-free silicon single crystals, vacancy, ростові мікродефекти, межузельний, бездіслокаційні монокристали кремнію, вакансійний, ростовые микродефекты, межузельный, бездислокационные монокристаллы кремния, вакансионный