The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure
dc.contributor.author | Таланін, Віталій Ігорович | |
dc.contributor.author | Таланін, Ігор Євгенович | |
dc.contributor.author | Воронін, Олександр Олександрович | |
dc.contributor.author | Сирота, Анатолій Васильович | |
dc.contributor.author | Корягин, Сергій Андрійович | |
dc.contributor.author | Talanin, Vitaliy I. | |
dc.contributor.author | Talanin, Igor E. | |
dc.contributor.author | Voronin, Alexander A. | |
dc.contributor.author | Sirota, Anatolij V. | |
dc.contributor.author | Koryagin, Sergey A. | |
dc.contributor.author | Таланин, Виталий Игоревич | |
dc.contributor.author | Таланин, Игорь Евгеньевич | |
dc.contributor.author | Воронин, Александр Александрович | |
dc.contributor.author | Сирота, Анатолий Васильович | |
dc.contributor.author | Корягин, Сергей Андреевич | |
dc.date.accessioned | 2019-11-25T12:02:00Z | |
dc.date.available | 2019-11-25T12:02:00Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description | V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota, S. A. Koryagin The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure / III Украинская научная конференция по физике полупроводников (USCPS-3) с международным участием, 17-22 июня 2007 г., Одесса, Украина | uk |
dc.description.abstract | UK: Розробка моделі дефектної структури бездислокаційних мнонокрісталлов кремнію. Моделювання процесів формування та взаємодії вирощених микродефектов, з використанням адекватної фізичної моделі. EN: Development of a model of the defective structure of dislocation-free silicon single crystals. Modeling the processes of formation and interaction of grown microdefects, using an adequate physical model. RU: Разработка модели дефектной структуры бездислокационных мнонокристаллов кремния. Моделирование процессов формирования и взаимодействия выращенных микродефектов, с использованием адекватной физической модели. | uk |
dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4983 | |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | Одеський національний університет імені І. І. Мечникова | uk |
dc.subject | growth microdefects | uk |
dc.subject | interstitial | uk |
dc.subject | dislocation-free silicon single crystals | uk |
dc.subject | vacancy | uk |
dc.subject | ростові мікродефекти | uk |
dc.subject | межузельний | uk |
dc.subject | бездіслокаційні монокристали кремнію | uk |
dc.subject | вакансійний | uk |
dc.subject | ростовые микродефекты | uk |
dc.subject | межузельный | uk |
dc.subject | бездислокационные монокристаллы кремния | uk |
dc.subject | вакансионный | uk |
dc.title | The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure | uk |
dc.title.alternative | Моделювання дефектної структури бездислокаційних монокристалів кремнію | uk |
dc.title.alternative | Моделирование дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния | uk |
dc.type | Article | uk |