Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния.

Abstract

UK: Сформульовано математична модель процесу утворення первинних ростових мікродефектів на основі диссоциативного процесу дифузії. Розглянуто випадки взаємодії «кисень-вакансія» (0 + V) і «вуглець-власний межузельний атом кремнію» (З + 1) поблизу фронту кристалізації для бездислокаційних монокристалів кремнію, отриманих методами бестигельной зонного плавлення і Чохральського EN: A mathematical model of the process of formation of primary growth microdefects based on the dissociative diffusion process is formulated. The cases of oxygen-vacancy (0 + V) and carbon-intrinsic interstitial silicon atom (C + 1) interactions near the crystallization front for dislocation-free silicon single crystals obtained by crucibleless and Czochralski methods are considered. RU: Сформулирована математическая модель процесса образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативного процесса диффузии. Рассмотрены случаи взаимодействия «кислород-вакансия» (0+V) и «углерод-собственный межузельный атом кремния» (С+1) вблизи фронта кристаллизации для бездислокационных монокристаллов кремния, полученных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского.

Description

В.И. Таланин, И.Е. Таланин, А.В. Сирота. Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния / IV Рросійська конференція з міжнародною участю з фізики, матеріалознавства і фізико-хімічним основам технологій отримання легованих кристалів кремнію і приладових структур на їх основі, «Кремній - 2007» (3-6 липня 2007 р.)

Keywords

growth microdefects, heterogeneous diffusion model, dislocation-free silicon single crystals, crucible zone melting, ростові мікродефекти, гетерогенна диффузиона модель, бездіслокаційні монокристали кремнію, бестигельне зонне плавлення, ростовые микродефекты, гетерогенная диффузионная модель, бездислокационные монокристаллы кремния, безтигельная зонная плавка

Citation