Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния.
| dc.contributor.author | Таланін, Віталій Ігорович | |
| dc.contributor.author | Таланін, Ігор Євгенович | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолій Васильович | |
| dc.contributor.author | Talanin, Vitaliy I. | |
| dc.contributor.author | Talanin, Igor E. | |
| dc.contributor.author | Sirota, Anatolij V. | |
| dc.contributor.author | Таланин, Виталий Игоревич | |
| dc.contributor.author | Таланин, Игорь Евгеньевич | |
| dc.contributor.author | Сирота, Анатолий Васильович | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-25T12:41:58Z | |
| dc.date.available | 2019-11-25T12:41:58Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.description | В.И. Таланин, И.Е. Таланин, А.В. Сирота. Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния / IV Рросійська конференція з міжнародною участю з фізики, матеріалознавства і фізико-хімічним основам технологій отримання легованих кристалів кремнію і приладових структур на їх основі, «Кремній - 2007» (3-6 липня 2007 р.) | uk |
| dc.description.abstract | UK: Сформульовано математична модель процесу утворення первинних ростових мікродефектів на основі диссоциативного процесу дифузії. Розглянуто випадки взаємодії «кисень-вакансія» (0 + V) і «вуглець-власний межузельний атом кремнію» (З + 1) поблизу фронту кристалізації для бездислокаційних монокристалів кремнію, отриманих методами бестигельной зонного плавлення і Чохральського EN: A mathematical model of the process of formation of primary growth microdefects based on the dissociative diffusion process is formulated. The cases of oxygen-vacancy (0 + V) and carbon-intrinsic interstitial silicon atom (C + 1) interactions near the crystallization front for dislocation-free silicon single crystals obtained by crucibleless and Czochralski methods are considered. RU: Сформулирована математическая модель процесса образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативного процесса диффузии. Рассмотрены случаи взаимодействия «кислород-вакансия» (0+V) и «углерод-собственный межузельный атом кремния» (С+1) вблизи фронта кристаллизации для бездислокационных монокристаллов кремния, полученных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского. | uk |
| dc.identifier.uri | http://eir.zntu.edu.ua/handle/123456789/4987 | |
| dc.language.iso | ru | uk |
| dc.publisher | Державний технологічний університет «Московський інститут сталі і сплавів», МИСиС | uk |
| dc.subject | growth microdefects | uk |
| dc.subject | heterogeneous diffusion model | uk |
| dc.subject | dislocation-free silicon single crystals | uk |
| dc.subject | crucible zone melting | uk |
| dc.subject | ростові мікродефекти | uk |
| dc.subject | гетерогенна диффузиона модель | uk |
| dc.subject | бездіслокаційні монокристали кремнію | uk |
| dc.subject | бестигельне зонне плавлення | uk |
| dc.subject | ростовые микродефекты | uk |
| dc.subject | гетерогенная диффузионная модель | uk |
| dc.subject | бездислокационные монокристаллы кремния | uk |
| dc.subject | безтигельная зонная плавка | uk |
| dc.title | Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния. | uk |
| dc.title.alternative | Modeling the interaction of point defects during the growth of dislocation-free silicon single crystals. | uk |
| dc.title.alternative | Моделювання взаємодії точкових дефектів в процесі росту бездислокаційних монокристалів кремнію. | uk |
| dc.type | Article | uk |