Browsing by Author "Talanin Vitaliy I."
Now showing 1 - 3 of 3
Results Per Page
Sort Options
Item The aggregation of point defects in dislocation-free silicon single crystals(Functional Materials, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatoliy V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильевичUK: Розглянута кінетика процесу формування центрів зародження вторинних мікродефектів в бездіслокаційних монокристалах кремнію. Показано що процес агрегації точкових дефектів, керований їх дифузією обусловлює ростові мікродефекти. EN: This papers considers the formation kinetics for grown-in microdefects nucleation centers in dislocation free silicon monocrystals. It demonstrates that diffusion-controlled aggregation of point defects determines the process of grown-in microdefects formation. RU: Рассмотрена кинетика процесса формирования центров зарождения ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Показано, что процесс агрегации точечных дефектов, управляемый их диффузией, обусловливает образование ростовых микродефектов.Item Моделирование дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла(Класичний приватний університет, 2008) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of modeling and obtaining dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure, as well as its control during subsequent technological influences. RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью моделирования и получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой, а также управления ею при последующих технологических воздействиях.Item Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію(Укрпатент, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильевичUK: Винахід відноситься до галузі металургії високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію, що являються основним матеріалом для виготовлення елементної бази сучасної електронної промисловості. В основу винаходу поставлено завдання розробки способу який дозволяє керувати дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію, зокрема подавляти утворення вакансійних мікропор та міжвузловиних діслокаційних петель, які критичним чином впливають на якість вихідних монокристалів та структур на їх основі. EN: The invention relates to the field of metallurgy of high-quality silicon single-crystalline single crystals, which are the main material for the manufacture of the elemental base of modern electronic industry. The object of the invention is to develop a method that allows you to control the defective structure of silicon single-crystal single crystals, in particular to suppress the formation of vacant micropores and inter-node dislocation loops, which critically affect the quality of the original single crystals and structures based on them. RU: Изобретение относится к области металлургии высококачественных бездислокационных монокристаллов кремния, являются основным материалом для изготовления элементной базы современной электронной промышленности. В основу изобретения поставлена задача разработки способа который позволяет управлять дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности подавлять образование вакансионных микропор и междоузлия дислокацийних петель, которые критическим образом влияют на качество исходных монокристаллов и структур на их основе.