The aggregation of point defects in dislocation-free silicon single crystals
Loading...
Date
2007
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Functional Materials
Abstract
UK: Розглянута кінетика процесу формування центрів зародження вторинних мікродефектів в бездіслокаційних монокристалах кремнію. Показано що процес агрегації точкових дефектів, керований їх дифузією обусловлює ростові мікродефекти.
EN: This papers considers the formation kinetics for grown-in microdefects nucleation centers in dislocation free silicon monocrystals. It demonstrates that diffusion-controlled aggregation of point defects determines the process of grown-in microdefects formation.
RU: Рассмотрена кинетика процесса формирования центров зарождения ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Показано, что процесс агрегации точечных дефектов, управляемый их диффузией, обусловливает образование ростовых микродефектов.
Description
Агрегація точкових дефектів в бездіслокаційних монокристалах кремнію / В.І. Таланін, І.Є. Таланін, А.А. Воронін, А.В. Сирота // Функціональні матеріали. - 2007. - Т. 14, № 1. - С. 48-52.
Keywords
grown-in microdefects, dislocation-free silicon monocrystals, secondary grown-in microdefects, aggregation, ростові мікродефекти, бездіслокаційний монокристал кремнію, вторинні ростові дефекти, агрегація, бездислокационный монокристалл кремния, вторичные ростовые дефекты, агрегація, бездислокационный монокристалл кремния