Обумовлене деформацією регулювання забороненої зони фосфорену як перспективного 2d-матеріалу для наноелектроніки

Соломенко А. Г. Strain-caused band gap modulation in phosphorene as a promising 2d material for nanoelectronics / А. Г. Соломенко, І. Ю. Сагалянов, Т. М. Радченко, В. А. Татаренко // Сучасні проблеми і досягнення в галузі радіотехніки, телекоммунікацій та інформаційних технологій: Тези доповідей ХІІ Міжнародної науково-практичної конференції (10-12 грудня 2024 р., м. Запоріжжя). – Запоріжжя: НУ «Запорізька політехніка», 2024. – С. 206-213.