Browsing by Author "Sirota, Anatolij V."
Now showing 1 - 5 of 5
Results Per Page
Sort Options
Item The modeling of high-perfect silicon single crystals defect structure(Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Воронін, Олександр Олександрович; Сирота, Анатолій Васильович; Корягин, Сергій Андрійович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Voronin, Alexander A.; Sirota, Anatolij V.; Koryagin, Sergey A.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Воронин, Александр Александрович; Сирота, Анатолий Васильович; Корягин, Сергей АндреевичUK: Розробка моделі дефектної структури бездислокаційних мнонокрісталлов кремнію. Моделювання процесів формування та взаємодії вирощених микродефектов, з використанням адекватної фізичної моделі. EN: Development of a model of the defective structure of dislocation-free silicon single crystals. Modeling the processes of formation and interaction of grown microdefects, using an adequate physical model. RU: Разработка модели дефектной структуры бездислокационных мнонокристаллов кремния. Моделирование процессов формирования и взаимодействия выращенных микродефектов, с использованием адекватной физической модели.Item Моделирование взаимодействия точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния.(Державний технологічний університет «Московський інститут сталі і сплавів», МИСиС, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Сформульовано математична модель процесу утворення первинних ростових мікродефектів на основі диссоциативного процесу дифузії. Розглянуто випадки взаємодії «кисень-вакансія» (0 + V) і «вуглець-власний межузельний атом кремнію» (З + 1) поблизу фронту кристалізації для бездислокаційних монокристалів кремнію, отриманих методами бестигельной зонного плавлення і Чохральського EN: A mathematical model of the process of formation of primary growth microdefects based on the dissociative diffusion process is formulated. The cases of oxygen-vacancy (0 + V) and carbon-intrinsic interstitial silicon atom (C + 1) interactions near the crystallization front for dislocation-free silicon single crystals obtained by crucibleless and Czochralski methods are considered. RU: Сформулирована математическая модель процесса образования первичных ростовых микродефектов на основе диссоциативного процесса диффузии. Рассмотрены случаи взаимодействия «кислород-вакансия» (0+V) и «углерод-собственный межузельный атом кремния» (С+1) вблизи фронта кристаллизации для бездислокационных монокристаллов кремния, полученных методами бестигельной зонной плавки и Чохральского.Item Моделирование дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла(Класичний приватний університет, 2008) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of modeling and obtaining dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure, as well as its control during subsequent technological influences. RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью моделирования и получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой, а также управления ею при последующих технологических воздействиях.Item Моделирование условий роста и технологии получения бездислокационных монокристаллов кремния без вторичных растовых микродефектов(м. Кременчук, Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління., 2008) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin, Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильовичUK: Розробка моделі дефектоутворення в бездислокаційних монокристалах кремнію з можливістю моделювання і отримання бездислокаційних монокристалів кремнію з заздалегідь заданою дефектною структурою, а також управління нею під час наступних технологічних впливах. EN: Development of a model of defect formation in dislocation-free silicon single crystals with the possibility of producing dislocation-free silicon single crystals with a predetermined defect structure and its control during the following technological actions RU: Разработка модели дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния с возможностью получения бездислокационных монокристаллов кремния с заранее заданной дефектной структурой и управления ей во время следующих технологических воздействий.Item Спосіб вирощування з розплаву бездіслокаційних монокристалів кремнію(Укрпатент, 2007) Таланін, Віталій Ігорович; Таланін, Ігор Євгенович; Сирота, Анатолій Васильович; Talanin Vitaliy I.; Talanin, Igor E.; Sirota, Anatolij V.; Таланин, Виталий Игоревич; Таланин, Игорь Евгеньевич; Сирота, Анатолий ВасильевичUK: Винахід відноситься до галузі металургії високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію, що являються основним матеріалом для виготовлення елементної бази сучасної електронної промисловості. В основу винаходу поставлено завдання розробки способу який дозволяє керувати дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію, зокрема подавляти утворення вакансійних мікропор та міжвузловиних діслокаційних петель, які критичним чином впливають на якість вихідних монокристалів та структур на їх основі. EN: The invention relates to the field of metallurgy of high-quality silicon single-crystalline single crystals, which are the main material for the manufacture of the elemental base of modern electronic industry. The object of the invention is to develop a method that allows you to control the defective structure of silicon single-crystal single crystals, in particular to suppress the formation of vacant micropores and inter-node dislocation loops, which critically affect the quality of the original single crystals and structures based on them. RU: Изобретение относится к области металлургии высококачественных бездислокационных монокристаллов кремния, являются основным материалом для изготовления элементной базы современной электронной промышленности. В основу изобретения поставлена задача разработки способа который позволяет управлять дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния, в частности подавлять образование вакансионных микропор и междоузлия дислокацийних петель, которые критическим образом влияют на качество исходных монокристаллов и структур на их основе.